IGBT-Treiber benötigen DC/DC-Wandler mit einer sehr hohen galvanischen Trennung zwischen Primär- und Sekundärseite oder zwischen Primär-/Sekundärseite und Erde. Die anspruchsvollen Isolationsanforderungen sind den hohen anliegenden Spannungspotenzialen auf der Sekundärseite von modernen IGBT-Halbleitermodule geschuldet.
Diese neuen DC/DC-Wandler sind für IGBT-Anwendungen von 3,3 bis 6,5 kV ausgelegt, bieten 16,8 kV AC Isolationsspannung, eine 42 mm grosse Kriech- und Luftstrecke und darüber hinaus eine tiefe Kopplungskapazität von nur 4 pF. Diese Wandlertypen verfügen über eine Ausgangsleistung von 70 bis 310 W. Dies ist ideal für die Versorgung mehrerer Gate-Treiber in einer zentralisierten Gate-Treiber-Architektur.
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